基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元关键技术

摘要：

随着储能变流器向大容量、模块化发展,碳化硅(SiC)器件由于其低损耗、耐高温的特性,逐渐成为研究热点.然而SiC器件过高的开关速度使其对电路中杂散电感更加敏感,并且高温运行环境也会对器件长期安全可靠的运行带来影响.因此针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元,重点研究了其低感设计和散热设计方法,并提出了功率单元的整体设计方案.通过优化叠层母排的结构,将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794 μH和235 μH,有效减小功率单元的关断过电压.通过热仿真研究,确立了散热方案,使器件在运行过程中的最高温度不超过50℃.最后,搭建了功率单元样机并进行对拖实验,验证了叠层母排结构优化设计和功率单元散热设计方案的有效性.

关键词：储能变流器、功率单元、叠层母排、杂散电感、散热设计

所属期刊栏目：17

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

在线出版日期：2023-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：146-154