基于等效电导率的压接型IGBT器件温度场仿真

摘要：

压接型封装全控器件由于其具有无焊点、无引线、双面散热的特点,逐渐在大容量换流器中得到了广泛的应用,其可靠性以及寿命预测也引起了学术界和工业界的关注.本文提出了一种基于等效电导率的压接型绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件温度场有限元仿真方法,直接反映了压接型IGBT器件内部芯片发热功率随温度变化的特性,进一步提高了温度场仿真的准确性,为模块可靠性分析和寿命预测建立了仿真计算基础.此外,对某型号压接型IGBT器件进行MMC工况下的温度场仿真,得到了该工况下模块内部温度分布情况.

关键词：MMC、压接型IGBT、等效电导率、有限元仿真、温度分布

所属期刊栏目：15

分类号：TM717;TM621(输配电工程、电力网及电力系统)

资助基金：中国南方电网有限责任公司科技项目WYKJ00000020

在线出版日期：2021-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-24