VFTO作用下电子式互感器辐射电磁场数值计算与分析

摘要：

为研究气体绝缘金属封闭开关(gas insulated switchgear, GIS)中隔离开关分合闸操作时产生的特快速暂态过电压(very fast transient over-voltage, VFTO)对电子式互感器的电磁辐射干扰,建立了GIS电子式互感器的仿真模型,以实测VFTO波形为激励源,基于隐式时域有限元法计算了VFTO穿透绝缘接线端子圆盘辐射至二次金属采集箱的暂态电磁场分布.结果表明VFTO作用下辐射至金属采集箱内的暂态电场强度和暂态磁场强度均远远超出现有电子式互感器采集单元的电磁兼容试验标准.提出了减小接线端子原盘直径及增大金属采集箱与GIS外壳连接长度的抑制措施,仿真验证其可获得较高的屏蔽效能.研究成果可为电子式互感器的VFTO电磁辐射干扰抑制设计提供理论依据与技术支持.

关键词：电子式互感器、VFTO、电磁干扰、GIS

所属期刊栏目：11

分类号：TM73;TM933(输配电工程、电力网及电力系统)

资助基金：国家自然科学基金青年基金项目 51607124.Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China 51607124

在线出版日期：2017-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：52-57