10.3969/j.issn.1006-1436.2013.04.009
基于Fluent的化学机械抛光的流场数值模拟
建立化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)的润滑流场三维模型,使用商用CFD软件Fluent对其流场进行数值模拟,可以看出CMP润滑流场的速度分布对晶片表面抛光有重要影响.通过对照数值模拟结果和理论值,表明使用Fluent仿真CMP的流场是合理可行的,为优化机械抛光的材料去除率和表面平整度提供理论支持.
机械抛光、CMP、Fluent、数值模拟
34
TG1;TH1
江苏省自然科学基金项目BK2008197;江苏省高校科研成果产业化推进项目JH10-X048
2013-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
12,8