10.3969/j.issn.1006-1436.2012.07.079
紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用
本文系统描述了利用紫外光辅助化学汽相沉积(UVCVD)技术在InSb芯片背面减薄抛光后沉积SiO_2薄膜,作为减反膜以减少芯片表面对红外光的反射。通过测量SiO_2薄膜的光谱透过率,并利用红外焦平面测试系统测试SiO_2膜对器件性能的影响,表明UVCVD沉积的SiO_2膜具有良好的增透效果和均匀性,能有效提高InSb焦平面器件的性能。
紫外光辅助化学汽相沉积、SiO_2膜、减反
TN470.597(微电子学、集成电路(IC))
2012-10-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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