气体流量对氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)钝化性能影响

摘要：

本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H),研究气体流量对其钝化性能的影响.结果表明,CO2,H2,SiH4流量均能显著的影响a-SiOx:H钝化性能,最优钝化效果CO2,H2,SiH4流量分别为0.3 sccm,16sccm,10 sccm,双面沉积a-SiOx:H后硅片的少子寿命达到了466 s(注入浓度取1×10 cm-3).

关键词：气体流量、氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)、HWCVD、少子寿命、椭偏

所属期刊栏目：37

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：江西省青年科学基金资助项目20171BAB216014

在线出版日期：2018-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：53-56,90