In取代Ga对GaSb的热电性能的影响

摘要：

通过在GaSb的Ga位进行等电子In取代以形成Ga/In间的原子质量波动和应力场波动,可散射短波声子从而降低锑化镓的晶格热导率.采用氧化硼助熔剂法成功制备了InxGa1-xSb(x=0,0.05,0.5)样品.研究结果表明In取代显著降低了GaSb的晶格热导率,其中50％的In取代使GaSb的室温晶格热导率由18 Wm-1K-1降低至4 Wm-1K-1,最低晶格热导率达2 Wm-1K-1.此外,In取代同时也显著提升了GaSb的电性能,如In0.5Ga0.5Sb的室温电导率达15000 Sm-1,为锑化镓的6.8倍.由于电性能的提升和晶格热导率的下降,x=0.5样品具有最高热电优值,在775 K达0.44,显著高于锑化镓的最高热电优值(0.006).

关键词：热电材料、锑化镓、晶格热导率、热电优值、声子

所属期刊栏目：34

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：浙江省自然科学基金;宁波市自然科学基金

在线出版日期：2022-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-12,19