10.3969/j.issn.1008-7109.2021.02.005
SiC纳米结构场发射阴极研究进展
基于目前的研究现状,简述了场发射性能的影响因素和评价标准,系统论述了优化SiC纳米结构场发射阴极的方法及研究进展.其中具有高长径比的针尖状SiC纳米结构,通过掺杂、表面修饰、空间分布和复合结构等处理后可进一步增强其场发射性能.
SiC、纳米结构、场发射
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TB383(工程材料学)
浙江省自然科学青年基金LQ17E020002
2021-07-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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