烧结钕铁硼磁体DyF3晶界扩散工艺研究

摘要：

应用DyF3粉末作为镝源,对工业生产40H烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散处理试验.结果表明,晶界扩散处理之后,磁体内禀矫顽力大幅度上升,同时其剩磁出现一定程度的下降;应用比较高的晶界扩散处理温度、比较长的晶界扩散处理时间有利于提高晶界扩散处理磁体的内禀矫顽力;在一定的晶界扩散处理温度和时间条件下,随着磁体厚度尺寸减小,晶界扩散处理磁体的内禀矫顽力明显提高.在1218K保持2h是较为理想的晶界扩散处理工艺制度.经过在1218K保持2h的晶界扩散处理,20mm× 15mm×3.0mm尺寸规格的40H磁体的镝元素质量分数0.31％左右,而其内禀矫顽力上升幅度达到406.7kAm-1,剩磁下降0.0187T.Dy元素扩散进入富稀土晶界相中、并存在于主相晶粒表面区域,应为晶界扩散处理磁体矫顽力显著提高的基本原因.

关键词：烧结钕铁硼磁体、晶界扩散工艺、镝、微观结构、磁性能

所属期刊栏目：29

分类号：TM273(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金51671109

在线出版日期：2017-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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