10.3321/j.issn:0253-9993.2000.04.024
用烟煤合成SiC的研究
用3种烟煤与SiO2在氮气保护下合成SiC,发现烟煤可以作为碳源合成SiC,但不同烟煤煤种合成产物差别很大.研究表明,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构(如孔隙率大小、气孔形貌和比表面积等)是影响反应系统内物质生成的关键因素.在1 200~1 600 ℃温度范围内研究了3种烟煤的挥发分含量和焦炭微观结构的差异及其对合成SiC反应体系的影响.
碳化硅合成、烟煤、微观结构、挥发分、反应活性
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TQ163+.4
陕西省自然科学基金96C18;陕西省教育厅资助项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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