Ba(Ti1-xSnx)O3电子结构和光学特性的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了Ba(Ti1-xSnx)O3在不同Sn掺杂量情况下的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,随着Sn掺杂量的增加,Ba(Ti1-xSnx)O3的带隙变大,在导带底部和价带顶部Ti-O键占据主要位置,但Ba-O键被进一步减弱,介电常数变小,降低了Ba(Ti1-xSnx)O3的绝缘性能,反射率有了很大变化,折射率也在降低,使得Ba(Ti1-xSnx)O3在制作光学元器件时可使用的范围更广.

关键词：Ba(Ti1-xSnx)O3、第一性原理、电子能带结构、态密度、光学特性

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2013-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：90-94