钛基片的化学机械抛光技术研究

摘要：

采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除.

关键词：钛基片、化学机械抛光、纳米级粗糙度、抛光机理

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分类号：TN305.2;TH117.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金委员会与广东省政府自然科学联合基金重点项目U0635002;国家自然科学基金50775122;广东省自然科学基金8251805701000001;国家高技术研究发展计划863计划2009AA043101;创新群体项目50721004

在线出版日期：2011-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：131-136