水在β-氮化硅(0001)面吸附的密度泛函理论研究

摘要：

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法对H2O在β-Si3N4(0001)面上的吸附进行研究,采用原子簇模拟β-Si3N4(0001)表面,在6-31G·水平上计算常温常压下H2O分子在β-Si3N4(0001)表面的吸附构型和吸附能及电荷变化,同时考察温度、压强及预吸附BH3对吸附体系的影响.结果表明:H2O分子通过H原子吸附在β-Si3N4(0001)面的N原子顶位时最有利;当温度为100 ℃,压强分别为3×105～10×105 Pa时,吸附能为189.59 kJ/mol,与常温常压体系相比,吸附能增加了57.19 kJ/mol,吸附后O-H键拉长,可能发生解离;在BH3修饰的β-Si3N4(0001)表面上,由于预吸附导致吸附能减少.

关键词：H2O、β-Si3N4、吸附、表面、密度泛函理论(DFT)

所属期刊栏目：27

分类号：O641;TH117.3(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金50675185;湖南省杰出青年科学基金04JJ1010;湖南省教育厅资助项目05A002

在线出版日期：2007-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63