10.3321/j.issn:1004-0595.2004.04.010
纳米磨料对硅晶片的超精密抛光研究
采用均相沉淀法制备了纳米CeO2和纳米Al2O3超细粉体,将所制备的超细粉体配制成抛光液并用于硅晶片化学机械抛光,考察了纳米磨料对硅晶片抛光效果及抛光机理的影响.结果表明,纳米CeO2磨料的抛光效果优于纳米Al2O3磨料,采用纳米CeO2磨料抛光硅晶片时可以得到在1 μm×1 μm范围内微观表面粗糙度Ra为0.089 nm的超光滑表面,且表面微观起伏较小.
纳米磨料、单晶硅片、抛光、表面形貌
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TG356.28(金属压力加工)
江苏省自然科学基金BK2002010
2004-09-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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