10.3321/j.issn:1004-0595.2001.06.021
硅晶体纳米压痕试验与应力场分析
采用纳米压入法测量了4种硅晶体的微压痕特性,讨论了加载过程与卸载过程的特征,分析了硅晶体的纳米压入测量结果,同时计算了硅晶体中的应力分布.计算结果表明,剪应力为硅晶体微薄片剥落失效的原因.
硅晶体、纳米压入法、纳米硬度、应力分布
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TH117.1
国家自然科学基金59505006;浙江省自然科学基金598039
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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