基于GaAs表面等离子体栅阵结构的太赫兹调制器

摘要：

太赫兹波具有载频高、带宽大、频谱信息丰富等特点,其在高速通信、分子检测和生物医学成像等领域的潜力已得到广泛关注.太赫兹调制器是太赫兹检测系统中的关键器件,但是当前已报道的调制器都不能同时具备高效、高速、低插入损耗等特点.因此,提出并设计了一种基于GaAs肖特基二极管结合表面等离子体栅阵结构的电控太赫兹调制器.该器件将谐振腔和金属栅阵的电场增强效应相互叠加,大幅提升了器件的调制性能,实现了 0.4～1.4 THz范围内多频点调制,最高调制深度约为80％,插入损耗低于10 dB,调制速度大于100 kHz.

关键词：光电子学、太赫兹调制器、金属栅阵结构、肖特基二极管

所属期刊栏目：40

分类号：O441.4(电磁学、电动力学)

资助基金：国家自然科学基金;广东省自然科学基金项目

在线出版日期：2023-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：275-281