基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究

摘要：

为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构.利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P?I以及V?I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化.

关键词：激光技术、深紫外激光二极管、AlGaN、阱式阶梯电子阻挡层、电子泄露

所属期刊栏目：40

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家重点研发计划;宁波市科技创新重大专项

在线出版日期：2023-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：62-68