10.3969/j.issn.1007-5461.2021.02.010
Ta5+、Nb5+掺杂β-Ga203单晶光电性质研究进展
β-Ga2O3作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注.基于本研究团队在如何制备é-Ga2O3单晶及如何通过掺杂五族离子实现对é-Ga2O3单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga2O3单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga2O3单晶的电学性质及光学性质进行了综述.
材料、β-Ga203单晶、制备方法、光学性质、电学性质
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O734+.3(晶体物理)
国家自然科学基金,51802327,51972319
2021-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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219-227