边发射半导体激光器光纤耦合技术研究进展

摘要：

随着半导体材料生长工艺和封装技术等的快速发展,高功率、高亮度半导体激光器的性能不断提升,使之在工业加工、生物医疗、国防以及作为光纤和固体激光器泵浦源等方面有着重要作用.近些年来,边发射半导体的功率和光束质量的提升,使得耦合到光纤的输出功率不断提高.单管光纤耦合逐渐从毫瓦级输出发展到数十瓦输出,通过偏振、光谱、空间等合束技术,甚至达到数百瓦的输出.在叠阵或多线阵光纤耦合方面,也实现了从数十瓦级输出发展到数十千瓦级输出.从单管、线阵和叠阵三种半导体激光器出发,对半导体激光器发展现状、技术进行了调研分析,对光纤耦合半导体激光器的多种整形、合束和耦合技术进行了总结和展望.

关键词：激光技术、半导体激光器、光束整形、光纤耦合、高功率

所属期刊栏目：36

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：National Natural Science Foundation of China国家自然科学基金,U1830104;Development of Science and Technology Foundation of China Academy of Engineering Physics中国工程物理研究院科学技术发展基金,2018A0401018;Key Laboratory on High Energy Laser Science and Technology of China Academy of Engineering Physics中国工程物理研究院高能激光科学技术重点实验室基金,2018HEL05-2

在线出版日期：2019-12-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：641-650