准分子激光线形光束晶化非晶硅薄膜

摘要：

准分子激光线形光束在多晶硅薄膜的工业生产中有重要应用.基于自行研制的激光退火设备输出的线形XeC1准分子激光对等离子体增强化学气相沉积制备的大尺寸非晶硅薄膜进行退火处理.研究了线形光束的能量密度、辐照数量对薄膜晶化程度的影响,讨论了制备的大尺寸多晶硅薄膜的晶化体积分数及均匀性.实验结果表明,薄膜晶化的阈值为194mJ.cm-2;薄膜的晶化体积分数随能量密度先线性增大,再缓慢减小,线性增长因子约为0.3,当能量密度为432mJ.cm-2时,晶化程度最优;当辐照数量超过20次时,薄膜的晶化体积分数维持稳定;当光斑搭接率为93.7％时,制备的大尺寸多晶硅薄膜右侧区域的晶化体积分数为92.26％,相对标准差为1.56％,略好于左侧区域.该工作为线形光束晶化非晶硅薄膜的研究及准分子激光线形光束退火设备的国产化及提供了参考.

关键词：薄膜、多晶硅、准分子激光退火、能量密度、搭接率、线形光束

所属期刊栏目：36

分类号：O484.4;TN249(固体物理学)

资助基金：Supportes by Anhui International Cooperation Project安徽省国际合作项目,1403062009

在线出版日期：2019-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：219-225