导带弯曲对有限深量子阱中激子态影响的研究

摘要：

基于有效质量近似及变分法,考虑导带弯曲效应,用三角势近似量子阱中实际的导带弯曲势,讨论了 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中激子的结合能、玻尔半径、非相关概率,并与方阱进行比较,给出了结合能随阱宽和锰组分的变化情况.结果表明:三角势近似下激子结合能随阱宽呈现先增加后减小的趋势,同方阱相似,但明显小于方阱,且两者的差别随阱宽和锰组份(势垒高度)而增加.在相关问题的研究中应考虑导带弯曲的修正.

关键词：光电子学、变分法、导带弯曲、量子阱、激子

所属期刊栏目：35

分类号：O471.3(半导体物理学)

在线出版日期：2018-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：747-751