AuGe/Au与GaAs退火处理特性研究

摘要：

AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体(M/S)器件中以形成欧姆接触.在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)和X射线衍射仪对样品欧姆接触的界面特性进行了分析.随着退火温度的升高,接触电阻呈现V型趋势,AuGe部分分解,Au、Ge向GaAs界面扩散,Ga、As向金属层扩散,金属表层出现暗灰色孔状物,主要成分为AuGa、AuGaAs等,此外Ge、Ga的结合能增加0.3～0.6 eV,Ga3+、Ge4+高价态的占比增加, Ge含量为10％的材料作为n-GaAs接触电极,退火温度在380～420℃之间可使其形成良好的欧姆接触.

关键词：光电子学、AuGe合金、GaAs、退火处理、欧姆接触、结合能

所属期刊栏目：35

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2018-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：730-735