Zn空位缺陷ZnS的电子状态、磁性质与光学性质研究

摘要：

基于密度泛函理论第一性原理,研究了Zn空位缺陷对ZnS半导体材料电子状态、磁性质和光学性质的影响.结果表明Zn空位缺陷浓度为6.25％时,ZnS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,带隙较本征ZnS半导体增大了6.4％,达到2.19 eV.缺陷体系s态、p态电子主要在距离费米能量较近的区域产生能带,数量较少;Znd态电子主要在距离费米能量较远的区域产生能带.Zn空位缺陷对ZnS半导体材料是一种空穴型掺杂,Zn空位会增加ZnS的空穴型载流子浓度.其价带空穴具有较大有效质量,导带电子具有较小有效质量,Zn空位缺陷ZnS不显示磁性.Zn空位缺陷ZnS半导体材料210 nm附近介电吸收峰强度降低, 170 nm附近介电吸收峰消失, 100 nm波长附近出现了较弱的介电吸收峰.

关键词：材料、ZnS、Zn空位缺陷、磁性、光学性质

所属期刊栏目：35

分类号：TN377;O474(半导体技术)

资助基金：National Natural Science Foundation of China国家自然科学基金,11347141,11402225;Natural Science Foundation of Guangxi Province广西省自然科学基金,2015GXNSFBA139014;Natural Science Foundation of Yunnan Province云南省自然科学基金,2016FB012

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：507-512