一种可控静电双阱电场分布的计算与相关分析

摘要：

给出了可控制静电双阱方案的静电场分布与几何参数的关系及囚禁中心位置与系统参数的依赖关系并作相关分析.研究表明,可通过改变方案的系统参数改变囚禁中心的位置、囚禁势阱的深度及势阱的体积,从而实现囚禁经过Stark减速器得到的冷分子,甚至通过选择合适的系统参数实现温度更高的冷分子囚禁.

关键词：原子与分子光学、可控制静电双阱、静电场分布、分子囚禁

所属期刊栏目：31

分类号：O561(分子物理学、原子物理学)

资助基金：国家自然科学基金11472063、安徽省高校省级自然科学重点研究项目KJ2012Z271、安徽省高校省级自然科学研究项目KJ2013Z227

在线出版日期：2014-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：740-745