4H-SiC基紫外光电探测器研究进展

摘要：

介绍了4H-SiC材料用于高温、低电平紫外光电检测的优点,回顾总结了近年来4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展,分析了改善4H-SiC基紫外光电探测器性能参数如降低暗电流、提高光电响应度等可采用的各种技术手段,探讨了4H-SiC基紫外光电探测器的发展趋势.

关键词：光电子学、4H-SiC、紫外光电探测器

所属期刊栏目：31

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61176049

在线出版日期：2014-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：489-501