单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究

摘要：

通过对InxGa1-xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1-xN的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系.通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系.分析结果表明:1) In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系.2)在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大.3)在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大.4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小.因此,应根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率.

关键词：光电子学、量子阱垒高、In含量、数值模拟、InGaN/GaN发光二极管

所属期刊栏目：31

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60878063;广东省自然科学基金重点项目10251063101000001,8251063101000006

在线出版日期：2014-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：107-115