10.3969/j.issn.1007-5461.2012.05.014
GaAs量子阱中退极化效应对光学整流的影响
用弛豫时间近似和紧致密度矩阵方法,在施加偏向电场的GaAs方量子阱中,研究了退极化场对光学整流的影响.结果表明,退极化场使共振峰的位置向高能方向发生移动.对应三个不同的偏向电场F=3×104 V/cm,4×104 V/cm,8×104 V/cm的共振峰的位置分别为hω=108.48 meV,108.92 meV,111.99 meV.共振峰位置的偏移量分别为5.96 meV、5.99 meV、6.28 meV,其偏移量随偏向电场的增大而略有增大.
非线性光学、光学整流、退极化效应、量子阱
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O437;O482.3(光学)
2012-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
597-601