小偏压下阱中阱结构的量子隧穿特性及其实现

摘要：

共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿,是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快.用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和Ⅰ-Ⅴ特性曲线.计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义.

关键词：光电子学、量子阱、共振隧穿、透射系数、隧穿电流

所属期刊栏目：28

分类号：O471.1(半导体物理学)

资助基金：中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室资助20102011;中北大学校青年基金

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：629-634