内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

摘要：

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.

关键词：光电子学、柱形量子点、内建电场、杂质、束缚能

所属期刊栏目：28

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：福建省教育厅科技项目JK2009038;三明学院科学研究发展基金资助B0820/G

在线出版日期：2011-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：96-103