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10.3969/j.issn.1007-5461.2010.05.016

外压调制下ZnO晶体结构与光学性质变化特性的研究

引用
为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论(DFT)的第-性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟计算研究.计算结果表明:随着压力的增大,晶体的晶格常数、晶胞体积缓慢变小,内坐标u值逐渐增大,Zn-O键长缩短,共价性增强,带隙Eg明显展宽.光学特性谱显示不同外压对低能段光学性质的影响并不明显,而在高能段,随着压力的增大光学性质发生明显的蓝移.

材料、氧化锌、第一性原理、光学性质、调制

27

TN304.2(半导体技术)

国家自然科学基金重点项目60990312;中国矿业大学科研基金ok4523

2010-12-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

613-619

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1007-5461

34-1163/TN

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