10.3969/j.issn.1007-5461.2010.05.015
半导体纳米颗粒载流子的超快弛豫过程
分析了纳米颗粒的能级结构,建立了载流子弛豫的简化模型,运用数值模拟方法讨论了激发密度、表面态密度及俘获态电子的弛豫率对弛豫过程的影响.讨论结果表明,激发密度的增大及表面态的减少都会导致表面态上电子的饱和,使导带上出现电子的积累,导带电子寿命增大;深俘获态电子的弛豫是影响材料响应速度的主要因素.应用此模型对近红外泵浦探测实验的结果进行分析,表明模型可望在实验结果分析上得到应用.
光电子学、半导体纳米颗粒、超快载流子弛豫、速率方程、泵浦探测
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O431(光学)
国家重点基础研究发展计划973项目2007CB307002资助课题
2010-12-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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