4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究

摘要：

采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx层中各主要元素随不同深度的组分变化情况,从而获得该热氧化SiOx薄膜的化学组成和化学态结构,并更好地了解其构成情况以及SiOx/4H-SiC的界面性质.

关键词：材料、SiOx薄膜、热氧化、X射线光电子能谱、4H-SiC

所属期刊栏目：27

分类号：O484.5;TB303(固体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金2009J05151

在线出版日期：2010-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：474-479