GaAs/InP键合电学性质的研究

摘要：

Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.

关键词：材料、界面态密度、热电子发射、键合

所属期刊栏目：27

分类号：O485(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60837001;信息学院青年自然科学基金QN-08011

在线出版日期：2010-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：469-473