影响双光子非相干耦合孤子对强度包络的参量理论分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.011

影响双光子非相干耦合孤子对强度包络的参量理论分析

引用
为了得到系统参量变化对双光子非相干耦合孤子对强度包络的影响,采用数值方法对双光子光折变介质中非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对的耦合方程进行了求解.理论分析了启动光、分压系数和晶体温度对孤子对强度包络的影响.结果表明:孤子对包络宽度随启动光的增大而变大;随分压系数的增大而变小;晶体的温度增大,孤子对的宽度变大而峰值光强变小,晶体温度减小,孤子对的宽度变小而峰值变大.这些结果对双光子非相干耦合亮-暗空间孤子对的工程实践有一定参考价值.

非线性光学、双光子光折变效应、光折变介质、空间孤子对

27

O437(光学)

山西省高等学校科技开发基金资助课题 200611042

2010-09-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

448-453

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

量子电子学报

1007-5461

34-1163/TN

27

2010,27(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn