GaN 基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计

摘要：

采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究.计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的; S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应.通过修改结构参数多次计算表明;入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构.复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射,复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义.

关键词：光电子学、GaN、传输矩阵法、分布布拉格反射器、入射角

所属期刊栏目：27

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：145-150