不同N2气流量比反应溅射TiN薄膜的表面形貌分形特征

摘要：

采用反应磁控溅射工艺通过改变N<,2气流量比在Si衬底上沉积300nm厚TiN薄膜.用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征.结果表明:TiN薄膜的溅射模式与分形维数D<,f>值的演化存在相关性.当N<,2气流量比由O.0%增加至4.0%时,TiN薄膜的溅射方式属于金属模式,D<,f>保持不变;当N<,2气流量比继续增加至10.0%时,薄膜溅射方式转变为过渡模式,此时D<,f>急剧减小;而当N<,2气流量比超过10.0%以后,薄膜溅射模式改变为氮化物模式,相应的D<,f>轻微增加.

关键词：材料、表面形貌、分形理论、薄膜

所属期刊栏目：25

分类号：TN104.2;TB43(真空电子技术)

在线出版日期：2008-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：346-350