退火对钨酸镉晶体光谱性能影响的研究

摘要：

研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶体的氧空位减少,导致晶体在340～440 nm由氧空位缺陷产生的吸收减弱所致.同时,氧退火有利于缩短晶体的荧光寿命,从而提高钨酸镉的时间分辨率.

关键词：材料、钨酸镉、退火、光致发光、荧光衰减寿命、闪烁体

所属期刊栏目：25

分类号：O734;O782(晶体物理)

资助基金：安徽省科技攻关项目05022033

在线出版日期：2008-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：166-169