量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的计算

摘要：

采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型,利用镜像电荷的方法分析了不同介电常数下,界面效应对半导体量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的扰动情况.通过计算考虑到杂质对电子的束缚作用前后的电子的基态能,可以看出对于处在弱受限情况下的量子点,异质结厚度在小于10 nm时,界面效应对类氢杂质电子束缚能级的影响明显.当异质结壳层厚度增大的时候,界面效应的影响将逐渐减弱,受扰动的基态能也逐渐减小,最后不同Airy函数零点值所对应的基态能趋向于某一固定值,此时界面效应可以忽略.

关键词：光电子学、量子点异质结、界面效应、渐变势阱、镜像电荷法

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：重庆大学校内理论研究基金

在线出版日期：2008-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：721-726