入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

摘要：

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析.计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系.根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式.分析了从空气和Al0.4Ga0.5In0.1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异.为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构.分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势.

关键词：光电子学、布拉格反射器、传输矩阵法、GaN基、入射介质

所属期刊栏目：24

分类号：TN248;TN209(光电子技术、激光技术)

资助基金：广东省广州市科技计划2005Z1-D0071

在线出版日期：2007-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：514-518