回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的Ⅰ-Ⅴ性能的影响

摘要：

对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定.

关键词：光电子学、HgCdTe长波器件、回熔、暗电流

所属期刊栏目：24

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2007-04-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：221-224