温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

摘要：

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.

关键词：光电子学、有机金属化学气相沉积、光子晶体、人工欧泊、温度

所属期刊栏目：23

分类号：TN204(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划5130702

在线出版日期：2006-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：876-880