AlGaInN四元系氮化物分离研究

摘要：

氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件.可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长.所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系.希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用.

关键词：光电子学、相分离、价力场、AlxGayIn1-x-yN、LED

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2006-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：714-718