GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究

摘要：

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳.

关键词：光电子学、深能级瞬态谱、深能级缺陷、Si夹层、GaAs/AlAs异质结

所属期刊栏目：22

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：教育部高校骨干教师资助计划;教育部校级项目SJ03012

在线出版日期：2006-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：923-926