Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

摘要：

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.

关键词：光电子学、X射线双晶衍射、金属有机化学气相沉积、量子阱、光荧光

所属期刊栏目：22

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：广东省广州市科技攻关项目1999-2-035-1

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：436-439