10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.020
氮化硅钝化膜的制备和应用
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
光电子学、ECR-PECVD、氮化硅钝化膜、芯片
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
广东省自然科学基金000675,011466;广东省科技攻关项目2KM01401G;广东省教育厅自然科学基金200234
2005-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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