AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱

摘要：

利用LP-MOCVD生长了不同周期的AIGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱.由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模.根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现A1P-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量.

关键词：光电子学、AlGaInP/GaInP MQW、拉曼光谱、耦合电子(空穴)气-纵光学声子模

所属期刊栏目：21

分类号：O472.3;O433.5(半导体物理学)

资助基金：国家科技攻关项目00-068

在线出版日期：2005-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：859-862