量子阱态光电子谱研究的理论模型

摘要：

近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.

关键词：光电子学、量子阱态、近自由电子模型、相位积累模型、电子干涉模型、光电子谱

所属期刊栏目：21

分类号：O471.5;TN201(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60021403,10134030,10174089,60128404,10274002;科技部科研项目G001CB3095,2002CB613502

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：532-537