大应变In0.3Ga0.7As/GaAs量子阱激光器的生长和研究

摘要：

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet).

关键词：应变量子阱激光器、MOCVD、生长中断、应变缓冲层

所属期刊栏目：20

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：707-710