10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.022
一种高效率的二相位CMOS高压发生器
随着电源电压的不断降低和芯片面积的不断减小,电荷泵的效率已成为MOS电荷泵电路设计过程中最为人们关心的问题之一.由于传统的Dickson MOS电荷泵在每个传输管上都有阈值电压的损失,使得它的效率很低.为了解决这一问题,各种电荷泵电路在不断地出现.四相位MOS电荷泵电路自发明以来,得到了广泛的应用,但是它需要产生四个时钟,增大了面积;更为重要的是,由于四相位电荷泵要求在一个周期内提供四个互不重叠的高电平,从而限制了时钟频率的提高.本文在四相位电荷泵的基础上,提出了一种新型的二相位的电荷泵电路,解决了提高效率和增加芯片面积以及时钟频率提升的矛盾.
MOSFET、电荷、电荷泵、效率
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TN386.1(半导体技术)
2004-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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