一种高效率的二相位CMOS高压发生器
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.022

一种高效率的二相位CMOS高压发生器

引用
随着电源电压的不断降低和芯片面积的不断减小,电荷泵的效率已成为MOS电荷泵电路设计过程中最为人们关心的问题之一.由于传统的Dickson MOS电荷泵在每个传输管上都有阈值电压的损失,使得它的效率很低.为了解决这一问题,各种电荷泵电路在不断地出现.四相位MOS电荷泵电路自发明以来,得到了广泛的应用,但是它需要产生四个时钟,增大了面积;更为重要的是,由于四相位电荷泵要求在一个周期内提供四个互不重叠的高电平,从而限制了时钟频率的提高.本文在四相位电荷泵的基础上,提出了一种新型的二相位的电荷泵电路,解决了提高效率和增加芯片面积以及时钟频率提升的矛盾.

MOSFET、电荷、电荷泵、效率

20

TN386.1(半导体技术)

2004-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

613-617

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

量子电子学报

1007-5461

34-1163/TN

20

2003,20(5)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn