AlGaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

摘要：

鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强.这个最佳A1组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义.

关键词：AlGaInP、LED、Al组分

所属期刊栏目：20

分类号：TN383+.1;TN209(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目00-068

在线出版日期：2004-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：595-598